ME20P06-G_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:70mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買(mǎi)>-------
這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)精良，具有強(qiáng)大的電氣性能。它支持的最大漏極電流ID高達(dá)15A，最高漏源電壓VDSS為60V，而導(dǎo)通電阻RDON僅為70mΩ，這使得它成為高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。該MOSFET支持的最高柵源電壓VGS為20V，確保了在復(fù)雜電路環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行。適用于電源轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理等需要高性能開(kāi)關(guān)元件的應(yīng)用場(chǎng)景，能夠提供卓越的能效與穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
