ME20P06-G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:70mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）設計精良，具有強大的電氣性能。它支持的最大漏極電流ID高達15A，最高漏源電壓VDSS為60V，而導通電阻RDON僅為70mΩ，這使得它成為高效率開關應用的理想選擇。該MOSFET支持的最高柵源電壓VGS為20V，確保了在復雜電路環境中的穩定運行。適用于電源轉換、信號處理等需要高性能開關元件的應用場景，能夠提供卓越的能效與穩定性。
