ME85P03_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）擁有80A的連續(xù)漏極電流容量，最大漏源電壓達(dá)30V，導(dǎo)通電阻低至6.5mΩ，支持20V的柵源電壓。它適用于要求高效能與低熱損耗的應(yīng)用場(chǎng)景，如開關(guān)電源、電池管理及負(fù)載切換等電路設(shè)計(jì)。其出色的電氣特性保證了在高電流密度下的穩(wěn)定工作，而小巧的封裝則提供了靈活的設(shè)計(jì)選擇，適合多種應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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