ME7839S_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備55A的連續(xù)漏極電流承載能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻僅為8mΩ，在20V柵源電壓下表現(xiàn)出色。該元件適用于各種高效率開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電池管理和負(fù)載切換電路中，能夠有效降低熱損耗，提高系統(tǒng)整體性能。其緊湊的封裝形式使其成為空間受限設(shè)計(jì)的理想選擇，同時(shí)確保了良好的散熱性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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