AS3407_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款P溝道MOSFET具有4.2A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于多種需要高效開關(guān)操作的電路設(shè)計(jì)。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為45mΩ，在12V的柵源電壓（VGS）作用下，能有效減少能量損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。該元件適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理和信號調(diào)節(jié)等應(yīng)用場合，作為開關(guān)或放大元件，確保了電路的高效與穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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