AS3407_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:4.2A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:45mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款P溝道MOSFET具有4.2A的最大連續(xù)漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),適用于多種需要高效開關(guān)操作的電路設(shè)計(jì)。其導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅為45mΩ,在12V的柵源電壓(VGS)作用下,能有效減少能量損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。該元件適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理和信號調(diào)節(jié)等應(yīng)用場合,作為開關(guān)或放大元件,確保了電路的高效與穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
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