AS3407_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:4.2A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:45mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET具有4.2A的最大連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于多種需要高效開關操作的電路設計。其導通電阻（RDS(on)）僅為45mΩ，在12V的柵源電壓（VGS）作用下，能有效減少能量損耗，提高轉換效率。該元件適用于電源轉換、電池管理和信號調節等應用場合，作為開關或放大元件，確保了電路的高效與穩定運行。
