APM2315AC-TRG_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:4.1A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:34mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET擁有4.1A的最大連續漏極電流(ID)及20V的漏源擊穿電壓(VDSS),適合于要求高性能開關特性的應用。其導通電阻(RDS(on))低至34mΩ,在10V的柵源電壓(VGS)條件下,可顯著降低發熱,提升能效。該元件廣泛應用于電源管理、信號處理等領域,作為關鍵的開關或放大組件,有助于構建更加高效、穩定的電路系統。
