PMV213SN,215_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:220mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有2A的最大漏極電流（ID），適合用于要求不高電流的應用場合。其漏源極擊穿電壓（VDSS）高達100V，確保了在高電壓環境下的可靠工作。導通電阻（RDS(on)）為220mΩ，雖然相對較高，但在低功耗應用中仍能保持良好的效率。該器件支持±20V的柵源極電壓（VGS），增強了其在復雜電路中的適應性。此MOSFET可廣泛應用于各種電子設備中，如電源轉換、信號調節等領域，作為開關或放大元件，能夠滿足多樣化的設計需求。
