SIRA84DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:90A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣特性，其最大漏極電流ID可達90A，最大漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON僅為3.5mΩ，在VGS=20V時性能尤為突出。該器件適用于高效能開關電源、DC-DC轉換器及各類精密控制電路中，能夠實現快速開關與低損耗，確保系統運行穩定可靠。其緊湊的設計和高性能指標，使之成為眾多電子設計中的理想選擇。
