SIRA84DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣特性，其最大漏極電流ID可達(dá)90A，最大漏源電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON僅為3.5mΩ，在VGS=20V時(shí)性能尤為突出。該器件適用于高效能開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器及各類精密控制電路中，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān)與低損耗，確保系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定可靠。其緊湊的設(shè)計(jì)和高性能指標(biāo)，使之成為眾多電子設(shè)計(jì)中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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