PNMT30V6_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:28mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣特性，其最大漏極電流ID可達5.8A，最大漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON僅為28mΩ，在VGS=12V的工作條件下表現尤為優異。該元件適用于多種電路設計中，如電源管理、信號切換等場合，能夠有效提升電路效率與穩定性，同時其緊湊的設計有利于節省空間，便于集成到各種電子設備中。
