PK616BA_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣性能，其最大漏極電流（ID）可達80A，確保了高負載條件下的穩(wěn)定運行。該器件的漏源極間電壓（VDSS）為30V，適用于多種電路設(shè)計中，能夠承受較高的電壓波動。導通電阻（RDS(on)）低至4.7mΩ，在保證效率的同時減少了熱能損耗。柵源極電壓（VGS）范圍為±20V，提供了寬泛的操作靈活性。此MOSFET適用于電源管理、信號處理等電子設(shè)備中的開關(guān)或放大功能，能夠有效提升系統(tǒng)的整體性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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