SNN1000L10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:80mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有20A的最大連續漏極電流(ID)和100V的漏源擊穿電壓(VDSS),能夠承受較高的工作電壓和電流。其導通電阻(RDS(on))僅為80mΩ,在大電流應用中可以有效減少發熱,提高效率。該MOSFET的柵極閾值電壓(VGS)為20V,確保了在高電壓條件下穩定的工作性能。適用于開關電源、電機控制等高效率轉換場景。
