PNMT20V3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:43mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有3A的最大漏極電流（ID），適用于需要中等電流承載能力的電路設計。其漏源極耐壓（VDSS）為20V，適合在標準電壓范圍內工作的應用。導通電阻（RDS(on)）僅為43mΩ，有助于減少發熱并提高效率。該器件支持最高12V的柵源極電壓（VGS），便于與多數控制電路兼容。這款MOSFET可用于電源管理、信號處理等多種電子項目中，作為高效的開關或放大組件，提供穩定的性能表現。
