ASDM3010S-R_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款NN溝道場效應管（MOSFET）具備10A的最大連續漏極電流（ID）與30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合應用于需要高效能與穩定性的電路設計中。其低至12mΩ的導通電阻（RDS(on)）有助于減少功率損耗，提升整體系統效率。該MOSFET的柵極閾值電壓（VGS）為20V，確保了在寬泛的工作電壓范圍內均能實現可靠的開關操作。適用于精密電子設備中的信號放大、電源管理等關鍵功能。
