ASDM3010S-R_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N+N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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此款NN溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備10A的最大連續(xù)漏極電流（ID）與30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合應(yīng)用于需要高效能與穩(wěn)定性的電路設(shè)計(jì)中。其低至12mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）有助于減少功率損耗，提升整體系統(tǒng)效率。該MOSFET的柵極閾值電壓（VGS）為20V，確保了在寬泛的工作電壓范圍內(nèi)均能實(shí)現(xiàn)可靠的開(kāi)關(guān)操作。適用于精密電子設(shè)備中的信號(hào)放大、電源管理等關(guān)鍵功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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