MEE15N10_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣性能，最大漏極電流可達(dá)20A，最高耐壓值為100V。其導(dǎo)通電阻僅為80mΩ，在確保高效能的同時降低了能耗。該器件支持的最大柵源電壓為±20V，能夠適應(yīng)多種電路設(shè)計需求。適用于電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)控制等應(yīng)用場景，是實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)電流控制的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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