NVTFWS008N04CTAG_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:6.9mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備40A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），確保了其在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。其導(dǎo)通電阻（RDON）僅為6.9毫歐，有效降低了工作時(shí)的功率損耗，提高了效率。該MOSFET的柵源電壓（VGS）范圍為±20V，支持廣泛的工作條件，適用于多種電路設(shè)計(jì)，如電源轉(zhuǎn)換、信號(hào)放大等場(chǎng)合，是高性能電子設(shè)備的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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