PE616BA_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:35A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備35A的連續(xù)漏極電流（ID/A）與30V的漏源極斷態(tài)電壓（VDSS/V），適用于需要高效能與穩(wěn)定性的電路設(shè)計。其導(dǎo)通電阻（RDON/mR）低至7.5毫歐，有助于降低發(fā)熱，提升電路效率。該MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS/V），保證了在多種工作條件下的可靠性。此元件特別適合應(yīng)用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機控制及電子負載等場景，是實現(xiàn)精準控制與能量管理的優(yōu)選方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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