NTTFS4C10NTAG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:35A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有35安培的最大連續(xù)漏極電流和30伏特的漏源極擊穿電壓，適用于需要高電流承載能力的應(yīng)用。其導通電阻僅為7.5毫歐，有助于減少工作過程中的能量損失和發(fā)熱量，提升系統(tǒng)效率。該MOSFET支持的柵源極電壓范圍為±20伏特，提供了靈活的驅(qū)動選項。適用于電源適配器、充電器、開關(guān)電源及電子負載等場合，是實現(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和控制的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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