ME4174_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:18A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有18A的最大連續(xù)漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其超低的5毫歐導(dǎo)通電阻（RDON/mR）極大地降低了大電流工作時的功率損耗，提高了轉(zhuǎn)換效率。支持高達20V的柵源電壓（VGS/V），使得該MOSFET在電源開關(guān)、電池管理系統(tǒng)以及各類電子設(shè)備的電路設(shè)計中表現(xiàn)出色，能夠?qū)崿F(xiàn)快速響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
