ME15N10-G_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備20安培的最大連續(xù)漏極電流（ID）和100伏特的漏源極斷態(tài)電壓（VDSS），能夠承受較高的電壓和電流。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為80毫歐，保證了低功耗運(yùn)行。該MOSFET支持最高20伏特的柵源電壓（VGS），適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。它適用于電源管理、信號(hào)處理和電子開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和控制的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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