ME35N06-G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有20A的最大連續漏極電流（ID/A）和60V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其低至27毫歐的導通電阻（RDON/mR）確保了在高電流應用中的低損耗和高效性能。該MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS/V），使其成為電源管理、信號放大及各種電子設備中的理想選擇，能夠有效提升系統的穩定性和響應速度。
