ME60N03_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源極擊穿電壓（VDSS），確保了其在高功率密度應用中的穩定性能。其導通電阻（RDON）僅為7mΩ，在保證高效能的同時降低了熱損耗。該MOSFET的最大柵源電壓（VGS）可達±20V，提供了寬泛的工作范圍，適合用于要求苛刻的電路設計中，如開關電源、電池管理和信號處理等領域。
