BSZ050N03LSG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有60安培的最大連續(xù)漏極電流（ID/A），30伏特的漏源極耐壓（VDSS/V），以及僅4毫歐的導通電阻（RDSON/mR）。其柵源電壓（VGS/V）為20伏特，支持更廣泛的驅(qū)動電壓范圍，提高了靈活性。此款MOSFET適用于高電流密度要求的電路設計，例如電源供應器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和信號放大等應用場景。其出色的導電性能和耐壓能力，使得在高效率和可靠性方面表現(xiàn)卓越，是高性能電子產(chǎn)品中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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