BSZ050N03LSG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:60A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:4mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有60安培的最大連續(xù)漏極電流(ID/A),30伏特的漏源極耐壓(VDSS/V),以及僅4毫歐的導通電阻(RDSON/mR)。其柵源電壓(VGS/V)為20伏特,支持更廣泛的驅(qū)動電壓范圍,提高了靈活性。此款MOSFET適用于高電流密度要求的電路設計,例如電源供應器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和信號放大等應用場景。其出色的導電性能和耐壓能力,使得在高效率和可靠性方面表現(xiàn)卓越,是高性能電子產(chǎn)品中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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