APM2324AAC-TRG_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:43mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有3A的最大連續(xù)漏極電流（ID），20V的漏源極擊穿電壓（VDSS），以及43mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）。其柵源極開啟電壓（VGS）為12V。這些特性使得該MOSFET適用于需要高效能開關(guān)操作的應(yīng)用中，如電源管理電路、電池充電控制及信號放大等領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率，同時(shí)保證了良好的熱穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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