AS2308_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:3A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:72mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有3A的最大漏極電流(ID)和60V的擊穿電壓(VDSS),在20V柵源電壓(VGS)下工作時,其導通電阻(RDON)為72毫歐。這種配置使其特別適合于要求高效率和低功耗的應用場合,如便攜式電子設備的電源管理、信號放大和數字電路設計中的開關功能。其低導通電阻特性有助于降低能量損耗,提升整體系統的性能。
