RU1L002SNTL_SOT-323_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有0.1A的最大連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于多種低壓、低功耗電路設計。其導通電阻（RDS(on)）為1300毫歐，在確保高效能的同時降低了發熱風險。該器件的柵極閾值電壓（VGS(th)）范圍為20V，適合用于開關電源、電池管理系統及信號切換等應用中，能夠實現快速響應與穩定控制。
