AD90N03S_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:100A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:3.8mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET具有連續漏極電流(ID)100A的能力,能夠支持大電流的應用需求。其最大漏源電壓(VDS)為30V,確保了在不同電壓環境下的可靠性。該MOSFET的導通電阻(RDSON)低至3.8mΩ,有助于減少發熱并提高轉換效率。最大柵源電壓(VGS)為20V,增加了電路設計的靈活性。適用于多種電源轉換和控制場景,包括但不限于開關電源、信號放大及保護電路等。
