AP10TN135N_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:5A 參數(shù)2:電壓VDSS:100V 參數(shù)3:RDON:110mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具備5A的最大連續(xù)漏極電流(ID/A)與100V的最大漏源電壓(VDSS/V),確保了其在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性能。該器件擁有110mΩ的導(dǎo)通電阻(RDON/mR),在降低功耗的同時(shí)提高了效率。工作電壓范圍內(nèi)的柵源電壓(VGS/V)為±20V,保證了器件在多種電路配置中的兼容性。適用于電源轉(zhuǎn)換、信號(hào)放大及開關(guān)控制等應(yīng)用場(chǎng)景,是高性能電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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