AP4024GEMT_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有高達(dá)90A的連續(xù)漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源電壓（VDSS/V），適合應(yīng)用于需要高電流承載能力的電路中。其僅3.5mΩ的導(dǎo)通電阻（RDON/mR）顯著減少了能量損耗，提升了系統(tǒng)的整體效率。支持±20V的柵源電壓（VGS/V），確保了器件在各種條件下的可靠操作。該MOSFET適用于電源管理、信號處理和開關(guān)控制等精密電子設(shè)備中，是實現(xiàn)高效能設(shè)計的關(guān)鍵組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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