AP4024GEMT_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:90A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:3.5mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有高達(dá)90A的連續(xù)漏極電流(ID/A)和30V的最大漏源電壓(VDSS/V),適合應(yīng)用于需要高電流承載能力的電路中。其僅3.5mΩ的導(dǎo)通電阻(RDON/mR)顯著減少了能量損耗,提升了系統(tǒng)的整體效率。支持±20V的柵源電壓(VGS/V),確保了器件在各種條件下的可靠操作。該MOSFET適用于電源管理、信號處理和開關(guān)控制等精密電子設(shè)備中,是實現(xiàn)高效能設(shè)計的關(guān)鍵組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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