AP9T16AGH-HF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備20A的最大連續(xù)漏極電流（ID）與20V的最大漏源電壓（VDS），適合于要求高可靠性和穩(wěn)定性的電路設(shè)計。其導(dǎo)通電阻（RDON）低至16mΩ，有助于減少能量損失，提高整體效率。支持最高±12V的柵源電壓（VGS），保證了在不同工作條件下的靈活性與穩(wěn)定性。該元件廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、信號處理及各類電子設(shè)備中的開關(guān)控制，是實現(xiàn)高效能設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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