IPD220N06L3G_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）擁有50安培的最大連續(xù)漏極電流（ID）和60伏的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高效能電源管理設(shè)計(jì)。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為15毫歐，在20伏的柵源驅(qū)動(dòng)電壓（VGS）下工作時(shí)，可有效降低熱耗散，提升轉(zhuǎn)換效率。該元件具備出色的開(kāi)關(guān)特性與低損耗性能，適用于多種高密度、高性能的電子設(shè)備中，如復(fù)雜的電源供應(yīng)系統(tǒng)和精密的電路保護(hù)方案，確保在緊湊空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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