SI4850EY-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備30A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的最大漏源電壓（VDSS），適用于廣泛的電路設(shè)計(jì)需求。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為20mΩ，在20V的柵源電壓（VGS）下操作，保證了低損耗和高效的性能。該元件特別適合應(yīng)用于電源管理、電池充電電路以及各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中，作為開關(guān)或放大元件，能夠?qū)崿F(xiàn)精確控制和穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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