FDD4243_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數(shù)1:電流ID:25A 參數(shù)2:電壓VDSS:40V 參數(shù)3:RDON:31mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道MOSFET具備強(qiáng)大的電氣性能,最大漏極電流(ID)可達(dá)25A,耐壓值(VDSS)為40V,導(dǎo)通電阻(RDS(on))為31mΩ,支持20V的柵源電壓(VGS)。這些特性使得它非常適合用于各種需要高效電流控制的場合,例如電源供應(yīng)器、電池管理系統(tǒng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電路設(shè)計中,能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)的電流控制與高效的能量轉(zhuǎn)換,同時保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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