FDD5614P_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:64mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET場效應管,具備20A的連續漏極電流(ID)和60V的漏源極耐壓(VDSS),確保了其在高功率應用中的穩定性能。其導通電阻(RDON)僅為64mΩ,在保證高效能的同時,有效降低了發熱。該元件支持±20V的柵源電壓(VGS),增強了電路設計的靈活性。適用于需要精確電流控制和快速開關響應的電子產品中,如電源管理、信號放大等場合。
