FDD5614P_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:64mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款P溝道MOSFET場效應管，具備20A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源極耐壓（VDSS），確保了其在高功率應用中的穩定性能。其導通電阻（RDON）僅為64mΩ，在保證高效能的同時，有效降低了發熱。該元件支持±20V的柵源電壓（VGS），增強了電路設計的靈活性。適用于需要精確電流控制和快速開關響應的電子產品中，如電源管理、信號放大等場合。
