ST2309ES_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:140mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備2安培的最大持續漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于多種需要高效開關性能的應用。其導通電阻（RDS(on)）為140毫歐，雖然相對較高，但在低電流應用中仍能提供有效的功率管理。柵源極閾值電壓（VGS）為20伏，確保了穩定的開關特性。此元件適合應用于電源管理、信號調節以及各類電子設備中的控制電路，能夠實現精確的電流控制與快速響應，是設計緊湊型電路的理想選擇。
