ST2309ES_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:2A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:140mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管(MOSFET)具備2安培的最大持續漏極電流(ID)和60伏的漏源極擊穿電壓(VDSS),適用于多種需要高效開關性能的應用。其導通電阻(RDS(on))為140毫歐,雖然相對較高,但在低電流應用中仍能提供有效的功率管理。柵源極閾值電壓(VGS)為20伏,確保了穩定的開關特性。此元件適合應用于電源管理、信號調節以及各類電子設備中的控制電路,能夠實現精確的電流控制與快速響應,是設計緊湊型電路的理想選擇。
