SI4114DY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:6.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道MOSFET場效應(yīng)管設(shè)計用于高電流應(yīng)用，其連續(xù)漏極電流可達20A，最大漏源電壓為20V，確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。該器件的導(dǎo)通電阻僅為6.3mΩ，顯著降低了功率損耗，提高了能效。其最大柵源電壓為12V，提供了良好的驅(qū)動兼容性。適用于電源適配器、開關(guān)電源及電子設(shè)備中的快速開關(guān)控制，是實現(xiàn)高效能電路設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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