SiRA18BDP_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:45A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道MOSFET具有45A的連續(xù)漏極電流承載能力和30V的最大漏源電壓，其導(dǎo)通電阻僅為6mΩ，有效降低了電力傳輸過程中的能量損耗。支持高達(dá)±20V的柵源電壓，保證了廣泛的工作條件適應(yīng)性。適用于各種電源轉(zhuǎn)換、信號放大以及電子開關(guān)應(yīng)用，如筆記本電腦充電器、家用電器控制器等，能夠提供高效的電能管理和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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