SI4401DY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:13A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管具備出色的電氣特性，適用于多種電子設(shè)計。其主要參數(shù)包括：最大連續(xù)漏極電流ID為13A，能夠承受高達40V的漏源電壓VDSS，確保了在高負載條件下的穩(wěn)定運行；導(dǎo)通電阻RDON僅為14mΩ，有助于減少功率損耗并提高效率；柵源電壓VGS范圍為20V，提供了良好的驅(qū)動兼容性。此MOSFET適合于需要高效開關(guān)控制及低內(nèi)阻要求的應(yīng)用場合，如消費電子產(chǎn)品中的電源管理電路等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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