SI4946CDY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6.5A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:32mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款NN溝道場效應管具有良好的電氣性能，適用于多種電子設備。其關鍵參數包括最大連續漏極電流ID為6.5A，能夠承受最高達60V的漏源電壓VDSS，保證了在較高電壓環境下的可靠性；導通電阻RDON為32mΩ，有助于降低系統功耗；柵源電壓VGS支持至20V，使得該MOSFET易于被各種控制器驅動。它特別適合于需要緊湊設計與高效能轉換的應用場景，例如消費類電子產品中的開關電路或電源轉換器等。
