IRLR3636TRPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:6mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備強大的電流處理能力,其最大連續漏極電流ID可達80A,適用于高負載場景。該器件支持最高60V的漏源電壓VDSS,并且擁有僅為6mΩ的低導通電阻RDON,有效降低了工作時的能量損耗。柵源電壓VGS為20V,確保了良好的驅動性能。由于其優異的電氣特性,這款MOSFET非常適合應用于需要高效開關控制的各種電子設備中,如電源轉換器、電池管理系統等,能夠顯著提升系統的整體效率與穩定性。
