SQ7415AEN_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN3X3-8L 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤(pán) 參數(shù)1:電流ID:20A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:55mR 參數(shù)4:溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具備20安培的最大持續(xù)漏極電流(ID)和60伏的漏源極擊穿電壓(VDSS),適用于多種高要求電路設(shè)計(jì)。其導(dǎo)通電阻(RDS(on))低至55毫歐,在確保高效性能的同時(shí),減少了發(fā)熱問(wèn)題。柵源極閾值電壓(VGS)為20伏,保證了穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性。該元件在電源管理、信號(hào)調(diào)節(jié)等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)的電流控制和快速響應(yīng),適合用作高效的開(kāi)關(guān)器件或放大器。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà):18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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