DMC3016LDV-7_DFN3X3B-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN3X3B-8L 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤(pán) 參數(shù)1:電流ID:16A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:14mR 參數(shù)4:溝道類(lèi)型:N+P 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是一款高性能的NP溝道器件,支持最大漏極電流16A,具備高達(dá)30V的漏源電壓(VDSS)。其導(dǎo)通電阻僅為14毫歐姆(RDON),保證了在工作時(shí)的低損耗特性。柵源電壓(VGS)為20V,適用于多種電子設(shè)備中對(duì)效率和空間有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。此款MOSFET結(jié)合了N溝道與P溝道的優(yōu)勢(shì),在電源管理、信號(hào)切換及放大電路等領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)異性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà):18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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