AM7630N_DFN3X3B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款場效應管(MOSFET)為NN溝道設計，支持最大30安培的漏極電流(ID)與30伏特的漏源電壓(VDSS)，適用于高功率需求的應用。其導通電阻僅為10毫歐姆(RDON)，有助于降低功耗并提高系統效率。柵源電壓(VGS)為20伏特，確保了良好的驅動性能。該MOSFET適合用于消費電子設備中的高效電源轉換、開關控制及各種需要快速響應時間的電路中。
