MDD1902_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:18mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有50安培的最大持續(xù)漏極電流（ID）和100伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要高電流承載能力和穩(wěn)定電壓操作的電路。其低至18毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）確保了在大電流應(yīng)用中也能維持高效能，減少能量損耗。柵源極閾值電壓（VGS）為20伏，支持可靠的開關(guān)操作。該器件憑借其優(yōu)越的電氣特性，在電源轉(zhuǎn)換、電池管理以及各種電子設(shè)備的保護電路中表現(xiàn)出色，提供精確的控制與快速響應(yīng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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