MDD1902_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:18mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）擁有50安培的最大持續漏極電流（ID）和100伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要高電流承載能力和穩定電壓操作的電路。其低至18毫歐的導通電阻（RDS(on)）確保了在大電流應用中也能維持高效能，減少能量損耗。柵源極閾值電壓（VGS）為20伏，支持可靠的開關操作。該器件憑借其優越的電氣特性，在電源轉換、電池管理以及各種電子設備的保護電路中表現出色，提供精確的控制與快速響應。
