RD3L01BATTL1_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:64mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道MOSFET具備20A的漏極電流承載能力和60V的漏源電壓耐受度，適用于多種電子設(shè)備中。其導(dǎo)通電阻僅為64mΩ，有助于降低系統(tǒng)能耗，提高工作效率。最大柵源電壓為20V，保證了良好的驅(qū)動兼容性和穩(wěn)定性。該產(chǎn)品適合應(yīng)用于電源控制、信號處理等領(lǐng)域，是實現(xiàn)高效電路設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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