NTD6414ANT4G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管具備30A的最大漏極電流ID，能夠滿足較大電流負載的需求。其最大漏源電壓VDSS為100V，適用于多種高壓環(huán)境下的應(yīng)用。35mΩ的低導(dǎo)通電阻RDON有助于顯著降低功耗，提高系統(tǒng)效率。柵源電壓VGS為20V，確保了良好的開關(guān)控制性能。該MOSFET非常適合用于消費電子設(shè)備中的電源管理、開關(guān)電路以及需要高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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