IRF630NPBF_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:9A 參數(shù)2：電壓VDSS:200V 參數(shù)3：RDON:220mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管支持9A的連續(xù)漏極電流(ID)，擁有200V的漏源電壓(VDSS)耐壓能力，導(dǎo)通電阻為220mΩ(RDON)，能夠在多種電子設(shè)備中提供穩(wěn)定的性能。其柵源電壓(VGS)達(dá)到20V，適用于需要良好熱穩(wěn)定性和高效率開關(guān)操作的應(yīng)用場合，如電源適配器、LED驅(qū)動電路及家用電器控制等領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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