RD3P175SNFRATL_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:80mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管擁有20A的最大漏極電流ID，適用于需要處理較大電流的應用場合。其最大漏源電壓VDSS為100V，能夠在相對較高的電壓環境中穩定工作。80mΩ的低導通電阻RDON有助于減少能量損耗，提高整體效率。同時，20V的柵源電壓VGS確保了良好的開關特性。該MOSFET適合用于各類消費電子設備中的電源轉換、負載控制等場景，是實現高效能與緊湊設計的理想選擇。
