SUD50N03-06P_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)擁有100A的最大漏極電流(ID)，能夠承受30V的漏源電壓(VDSS)，適用于需要高電流處理能力的應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻僅為3.8mΩ，有效降低了功耗并提升了效率。柵極-源極間最大電壓(VGS)為20V，確保了良好的兼容性和穩(wěn)定性。此MOSFET適合用于各種要求快速開關(guān)速度與低能耗的電子設(shè)備中，如電源轉(zhuǎn)換器、負(fù)載控制及信號(hào)放大等場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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