AOT2502L_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220C 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數(shù)1:電流ID:120A 參數(shù)2:電壓VDSS:150V 參數(shù)3:RDON:9.5mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)擁有出色的電氣性能,適用于多種電子設(shè)備。其最大漏極電流ID為120A,能夠支持較大功率的應(yīng)用;漏源電壓VDSS高達(dá)150V,確保了在較高電壓環(huán)境下的可靠工作;導(dǎo)通電阻RDON僅為9.5毫歐姆,有助于降低功耗并提高整體效率;柵源電壓VGS支持至20V,提供了廣泛的驅(qū)動兼容性。此MOSFET適合需要高效開關(guān)控制及良好熱性能的場合使用,如電源管理、家用電器等領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
