AOT2502L_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:150V 參數(shù)3：RDON:9.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)擁有出色的電氣性能，適用于多種電子設(shè)備。其最大漏極電流ID為120A，能夠支持較大功率的應(yīng)用；漏源電壓VDSS高達(dá)150V，確保了在較高電壓環(huán)境下的可靠工作；導(dǎo)通電阻RDON僅為9.5毫歐姆，有助于降低功耗并提高整體效率；柵源電壓VGS支持至20V，提供了廣泛的驅(qū)動兼容性。此MOSFET適合需要高效開關(guān)控制及良好熱性能的場合使用，如電源管理、家用電器等領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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