STD35NF06LT4_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此N溝道場效應管（MOSFET）具有50A的最大漏極電流承載能力，以及60V的漏源極斷態(tài)電壓（VDSS），適用于多種高需求電路環(huán)境。其導通電阻（RDS(on)）低至15毫歐，有效降低工作時的能耗和發(fā)熱。該元件的柵源極閾值電壓（VGS）為20V，確保了在寬范圍電壓下的穩(wěn)定性能。它適合用于需要快速開關響應和高效電力傳輸?shù)脑O備中，如電源供應單元、電池管理系統(tǒng)和各類電子裝置內的精密控制電路，為設計者提供靈活且高效的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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