FDG6332C_SOT-363_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:320mR 參數(shù)4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款場效應(yīng)管（MOSFET）屬于NP溝道類型，其最大導(dǎo)通電流（ID/A）為0.8A，在保證安全使用的前提下，可承受的最大電壓（VDSS/V）為20V。當柵源電壓（VGS/V）達到12V時，此MOSFET可以實現(xiàn)有效的開關(guān)控制。此外，其導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）僅為320毫歐，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，該元件能有效地減少能量損耗，提高電路效率。這些特性使得它非常適合用于一般電子設(shè)備中的電源管理及信號放大等應(yīng)用場景中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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